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高福特半导体 (Goford Semiconductor)

自1995年成立以来,Goford半导体已发展成为一家全球性公司,在美国、澳大利亚、深圳、江苏和香港设有办事处。我们始终致力于功率MOSFET产品的研发和销售。我们专注于能源效率、移动性和可靠性,为市场提供具有成本效益的产品。我们致力于尽最大努力满足客户需求,提供最可靠和最具成本效益的产品,每天创新并做得更好,与工程师和客户合作实现互利共赢,并更加努力地实现我们的承诺。

G09N06S2

G09N06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

N+N 60V,9A,RD<18M@10V,VTH1.2V~2.

GT060N04D52

GT060N04D52

分类:FET、MOSFET 阵列

DUAL N40V,62A,RD<6.5M@10V,VTH1.0

G180N06S2

G180N06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

MOSFET, N-CH, 60V,8A,SOP-8DUAL

G100C04D52

G100C04D52

分类:FET、MOSFET 阵列

N/P 40V,40A/-24A,RD(MAX)<9M/16M@

G06N06S2

G06N06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

N+N 60V,6A,RD<25M@10V,VTH1.2V~2.

G05NP10S

G05NP10S

分类:FET、MOSFET 阵列

N/P 100V,5A/-6A,RD(MAX)<170M/200

G120N03D32

G120N03D32

分类:FET、MOSFET 阵列

MOSFET DUAL N-CH 30V 28A DFN3*3-

G05NP04S

G05NP04S

分类:FET、MOSFET 阵列

N/P 40V,4.5A/-10A,RD(MAX)<41M/37

6706

6706

分类:FET、MOSFET 阵列

N/P 20V,6.5A/-5A,RD(MAX)<18M/28M

G4614

G4614

分类:FET、MOSFET 阵列

MOSFET N+P-CH 40V/-40V 6A/-7A SO

6703

6703

分类:FET、MOSFET 阵列

N/P 20V,2.9A/-3A,RD(MAX)<45M/110

G200P04S2

G200P04S2

分类:FET、MOSFET 阵列

P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1

G450N10D52

G450N10D52

分类:FET、MOSFET 阵列

N100V, 35A,RD<45M@10V,VTH1.5V~2.

G2K2P10S2E

G2K2P10S2E

分类:FET、MOSFET 阵列

P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1

G170P03S2

G170P03S2

分类:FET、MOSFET 阵列

P-30V, -9A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-2

G05N06S2

G05N06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

N60V, 5A,RD<35M@10V,VTH1V~2.5V,

G4616

G4616

分类:FET、MOSFET 阵列

N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)

G1K8P06S2

G1K8P06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

P-60V,-3.2A,RD(MAX)<170M@-10V,VT

G800N06S2

G800N06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V

GT090N06D52

GT090N06D52

分类:FET、MOSFET 阵列

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

G130N06S2

G130N06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

MOSFET, N+N-CH,60V,9A,RD(MAX)<13

G60N04D52

G60N04D52

分类:FET、MOSFET 阵列

N40V, 35A,RD<9M@10V,VTH1.0V~2.5V

G06NP06S2

G06NP06S2

分类:FET、MOSFET 阵列

N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4

G120P03S2

G120P03S2

分类:FET、MOSFET 阵列

P-30V,-16A,RD(MAX)<14M@-10V,VTH-

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